Вісник Львівського університету. Серія фізична
Інформація
Рік видання |
2005 |
Випуск |
38 |
Том |
ч.2 |
Автори |
О. Сидор |
Назва статті |
Створення та дослідження фоточутливих структур на основі бар'єру Шоткі In/CuInSe2 |
Анотація |
Досліджено вольт-амперні характеристики у діапазоні температур 240-324 К та спектральні залежності відносної квантової ефективності поверхнево-бар'єрних структур In/CuInSe2. Інтерпретовано механізми проходження струму. Бар'єри Шоткі мають чітко виражені діодні характеристики. Аналіз спектрів фотоструму свідчить про їхню широкосмуговість. Отримані попередні значення Uхх~200-330 мВ та Jкз~5-15 мA cм-2 засвідчують перспективність дослідження цих структур |
Мова |
Українська |
PDF
формат |
О. Сидор@nbsp |
©2003-2009 Львівський університет |
Контакти