Наукові видання Львівського національного університету імені Івана Франка

НовиниВісникиЖурналиЗбірники

Редколегія / Розширений пошук /

Вісник Львівського університету. Серія фізична

 Тематика:

Загальна

 Випуски:

40    (2007) 39    (2006) 38 ч.2    (2005) 38 ч.1    (2005) 37    (2004) 36    (2003)

Інформація

Рік видання	2005
Випуск	38
Том	ч.2
Автори	С. Круковський, Б. Коман, Н. Струхляк
Назва статті	Гетерофотоелементи p AlGaAs/n GaAs підвищеної ефективності з шаром GaAs, комплексно легованим Al та Yb
Анотація	Описано виготовлення високоефективних одноперехідних гетерофотоелементів pAlGaAs/nGaAs із застосуванням нового технологічного підходу до формування високоякісних базових областей гетероструктур GaAs/AlGaAs, який ґрунтується на використанні комплексного легування алюмінієм та ітербієм галієвих розчинів-розплавів у методі РФЕ. На основі гетероструктури n-GaAs(підкл)- n-GaAs-p-GaAs-p-AlGaAs-p-GaAs, n-GaAs шар якої, комплексно легований оптимальними концентраціями Al та Yb, виготовлено фотоперетворювачі сонячної енергії з активною площею 3,7 см2, Uхх=0,98 В, jк.з.= 29,2 мА/см2, ККД=26,0% при АМ1,5(100 мВт/см2)
Мова	Українська
PDF формат	С. Круковський, Б. Коман, Н. Струхляк@nbsp

©2003-2009 Львівський університет | Контакти