Наукові видання Львівського національного університету імені Івана Франка

Вісник Львівського університету. Серія фізична

Інформація
Рік видання 2005
Випуск 38
Том ч.2
Автори С. Круковський, Б. Коман, Н. Струхляк
Назва статті Гетерофотоелементи p AlGaAs/n GaAs підвищеної ефективності з шаром GaAs, комплексно легованим Al та Yb
Анотація Описано виготовлення високоефективних одноперехідних гетерофотоелементів pAlGaAs/nGaAs із застосуванням нового технологічного підходу до формування високоякісних базових областей гетероструктур GaAs/AlGaAs, який ґрунтується на використанні комплексного легування алюмінієм та ітербієм галієвих розчинів-розплавів у методі РФЕ. На основі гетероструктури n-GaAs(підкл)- n-GaAs-p-GaAs-p-AlGaAs-p-GaAs, n-GaAs шар якої, комплексно легований оптимальними концентраціями Al та Yb, виготовлено фотоперетворювачі сонячної енергії з активною площею 3,7 см2, Uхх=0,98 В, jк.з.= 29,2 мА/см2, ККД=26,0% при АМ1,5(100 мВт/см2)
Мова Українська
PDF формат С. Круковський, Б. Коман, Н. Струхляк@nbsp
small logo
©2003-2009 Львівський університет | Контакти