Наукові видання Львівського національного університету імені Івана Франка

Вісник Львівського університету. Серія фізична

Інформація
Рік видання 2005
Випуск 38
Том ч.2
Автори Ч. Гурецкі, Т. Гурецкі, А. Журавська, Р. Головчак, С. Ваке
Назва статті Вивчення кінетики фазових переходів у напівпровідникових халькогенідах AsxSe100-x за допомогою диференційного термічного аналізу та екзоелектронної емісії
Анотація Шляхом дослідження екзоелектронної емісії та за допомогою диференційного термічного аналізу вивчено кінетику фазових переходів, що відбуваються у напівпровідникових халькогенідних стеклах AsxSe100-x. Обчислене за даними, отриманими під час дослідження екзоелектронної емісії методом Озави, значення енергії активації для поверхневої ретрифікації становить 0,75 еВ. Енергія активації, визначена тим же методом за даними диференційного термічного аналізу, становить 1,91 еВ
Мова Англійська
PDF формат Ч. Гурецкі, Т. Гурецкі, А. Журавська, Р. Головчак, С. Ваке@nbsp
small logo
©2003-2009 Львівський університет | Контакти