Вісник Львівського університету. Серія фізична
Інформація
| Рік видання |
2006 |
| Випуск |
39 |
| Автори |
Д.Захарчук |
| Назва статті |
Зміна параметра анізотропії рухливості в n-Ge залежно від дози g-опромінення та підсвічування |
| Анотація |
Користуючись методами поздовжнього п'єзоопору та п'єзо-холл-ефекту досліджено залежності зміни параметра анізотропії рухливості та абсолютних значень компонент рухливості в поздовжньому (m||) і поперечному (m|) напрямах відносно головної осі ізоенергетичного еліпсоїда залежно від дози g-опромінення і рівня підсвічування в монокристалах n-Ge. Виявлено, що компонента рухливості (m||) практично не залежить від дози g-опромінення і рівня підсвічування для зразків, що вирізані паралельно та перпендикулярно відносно осі росту кристала, на відміну від (m|). Відчутніші зміни (m|) простежують для зразків, в яких вузькі області більш сильної компенсації розміщені перпендикулярно до напряму струму і механічного напруження, що зумовлено збільшенням амплітуди шарових періодичних неоднорідностей унаслідок захоплення носіїв заряду із зони провідності на глибокі рівні радіаційних дефектів |
| Мова |
Українська |
| PDF
формат |
Д.Захарчук@nbsp |
|  |
©2003-2009 Львівський університет |
Контакти
