Вісник Львівського університету. Серія фізична
Інформація
| Рік видання |
2006 |
| Випуск |
39 |
| Автори |
Ю.Коваль, Л.Ящинський, С.Федосов |
| Назва статті |
Ефект перемикання в кристалах CdSb, легованих Te |
| Анотація |
Вивчено вплив шарових неоднорідностей домішки Те на ефект перемикання в кристалах CdSb. Знято вольт-амперні характеристики (ВАХ) зразків CdSb(Te), вирізаних паралельно і перпендикулярно до росту кристала, при різних рівнях інтенсивності освітлення. Отримані залежності j=f(E) свідчать про зменшення величини напруженості електричного поля перемикання з високоомного стану кристала в низькоомний із зростанням рівня освітлення для зразків вирізаних паралельно та перпендикулярно до росту. Суттєву різницю в порогових значеннях напруженості електричного поля у зразках різних груп за однакових умов як для неосвітлених, так і при різних рівнях підсвічування автори пов'язують з існуванням компенсуючих електричних полів між шарами росту |
| Мова |
Українська |
| PDF
формат |
Ю.Коваль, Л.Ящинський, С.Федосов@nbsp |
©2003-2009 Львівський університет |
Контакти
