Наукові видання Львівського національного університету імені Івана Франка

Вісник Львівського університету. Серія фізична

Інформація
Рік видання 2006
Випуск 39
Автори Ю.Коваль, Л.Ящинський, С.Федосов
Назва статті Ефект перемикання в кристалах CdSb, легованих Te
Анотація Вивчено вплив шарових неоднорідностей домішки Те на ефект перемикання в кристалах CdSb. Знято вольт-амперні характеристики (ВАХ) зразків CdSb(Te), вирізаних паралельно і перпендикулярно до росту кристала, при різних рівнях інтенсивності освітлення. Отримані залежності j=f(E) свідчать про зменшення величини напруженості електричного поля перемикання з високоомного стану кристала в низькоомний із зростанням рівня освітлення для зразків вирізаних паралельно та перпендикулярно до росту. Суттєву різницю в порогових значеннях напруженості електричного поля у зразках різних груп за однакових умов як для неосвітлених, так і при різних рівнях підсвічування автори пов'язують з існуванням компенсуючих електричних полів між шарами росту
Мова Українська
PDF формат Ю.Коваль, Л.Ящинський, С.Федосов@nbsp
small logo
©2003-2009 Львівський університет | Контакти