Вісник Львівського університету. Серія фізична
Інформація
| Рік видання |
2007 |
| Випуск |
40 |
| Автори |
І. Оленич |
| Назва статті |
Вплив електричного поля на світловипромінювальні властивості поруватого кремнію |
| Анотація |
Дослідження вольт-амперних характеристик (ВАХ) поруватого кремнію (ПК) засвідчили наявність на поверхні вбудованого просторового заряду, величина якого суттєво залежала від технологічних умов формування ПК і його параметрів: товщини, поруватості та ступеня окиснення поверхні. Виявлено зв'язок між спектрами фотолюмінесценції (ФЛ) ПК і його термоелектретними властивостями. Досліджено вплив електричного поля на інтенсивність і спектральне положення максимуму смуги ФЛ шарів ПК. Аналіз спектрів ФЛ свідчив про прояв декількох механізмів рекомбінації носіїв заряду в ПК. Створено модель світловипромінювання ПК, яка підтверджується результатами досліджень ФЛ |
| Мова |
Українська |
| PDF
формат |
І. Оленич@nbsp |
©2003-2009 Львівський університет |
Контакти
